[13847pcs Estoque]
- Número da peça:
- FDP2670
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 200V 19A TO-220AB.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - DIACs, SIDACs, Tiristores - SCRs, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Diodos - RF, Diodos - Retificadores - Solteiro and Transistores - IGBTs - Módulos ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in ON Semiconductor FDP2670 electronic components. FDP2670 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDP2670, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FDP2670 Atributos do produto
Número da peça :
FDP2670
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrição :
MOSFET N-CH 200V 19A TO-220AB
Series :
PowerTrench®
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
200V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
19A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
130 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
38nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
1320pF @ 100V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
93W (Tc)
Temperatura de operação :
-65°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-220-3
Pacote / caso :
TO-220-3
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