[2225pcs Estoque]
- Número da peça:
- SSM3K318T,LF
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 60V 2.5A TSM.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - IGBTs - Módulos, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - JFETs, Tiristores - TRIACs, Transistores - FETs, MOSFETs - Single and Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K318T,LF electronic components. SSM3K318T,LF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SSM3K318T,LF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SSM3K318T,LF Atributos do produto
Número da peça :
SSM3K318T,LF
Fabricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição :
MOSFET N-CH 60V 2.5A TSM
Series :
U-MOSIV
Status da Peça :
Discontinued at Digi-Key
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
2.5A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
107 mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
-
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
7nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
235pF @ 30V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
700mW (Ta)
Temperatura de operação :
150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TSM
Pacote / caso :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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