[3774pcs Estoque]
- Número da peça:
- PMWD19UN,518
- Fabricante:
- NXP USA Inc.
- Descrição detalhada:
- MOSFET 2N-CH 30V 5.6A 8TSSOP.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Diodos - Retificadores - Solteiro, Diodos - retificadores de ponte, Diodos - RF, Diodos - Zener - Single, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol and Transistores - FETs, MOSFETs - RF ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in NXP USA Inc. PMWD19UN,518 electronic components. PMWD19UN,518 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for PMWD19UN,518, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
PMWD19UN,518 Atributos do produto
Número da peça :
PMWD19UN,518
Fabricante :
NXP USA Inc.
Descrição :
MOSFET 2N-CH 30V 5.6A 8TSSOP
Series :
TrenchMOS™
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
2 N-Channel (Dual)
Recurso FET :
Logic Level Gate
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
5.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
23 mOhm @ 3.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
700mV @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
28nC @ 5V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
1478pF @ 10V
Potência - Max :
2.3W
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote / caso :
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
8-TSSOP
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