STH275N8F7-2AG Preços (USD) [32962pcs Estoque]
- 1 pcs$1.25035
- 1,000 pcs$1.05595
- Número da peça:
- STH275N8F7-2AG
- Fabricante:
- STMicroelectronics
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK-2.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Tiristores - SCRs, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - Propósito Específico, Transistores - FETs, MOSFETs - Single and Módulos de driver de energia ...
- Vantagem competitiva:
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STH275N8F7-2AG Atributos do produto
Número da peça :
STH275N8F7-2AG
Fabricante :
STMicroelectronics
Descrição :
MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK-2
Series :
Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
80V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
180A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2.1 mOhm @ 90A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
193nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
13600pF @ 50V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
315W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
H2Pak-2
Pacote / caso :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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