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  5. APTM100TDU35PG

Microsemi Corporation - APTM100TDU35PG

KEY Part #: K6524316

[3872pcs Estoque]

    Número da peça:
    APTM100TDU35PG
    Fabricante:
    Microsemi Corporation
    Descrição detalhada:
    MOSFET 6N-CH 1000V 22A SP6-P.
    Prazo de execução padrão do fabricante:
    Em estoque
    Validade:
    Um ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pagamento:
    Maneira da expedição:
    Categorias de Família:
    KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Zener - Single, Transistores - IGBTs - Módulos, Módulos de driver de energia, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar and Diodos - RF ...
    Vantagem competitiva:
    We specialize in Microsemi Corporation APTM100TDU35PG electronic components. APTM100TDU35PG can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APTM100TDU35PG, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    APTM100TDU35PG Atributos do produto

    Número da peça : APTM100TDU35PG
    Fabricante : Microsemi Corporation
    Descrição : MOSFET 6N-CH 1000V 22A SP6-P
    Series : -
    Status da Peça : Obsolete
    Tipo FET : 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
    Recurso FET : Standard
    Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 1000V (1kV)
    Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 22A
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 420 mOhm @ 11A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 2.5mA
    Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 186nC @ 10V
    Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 5200pF @ 25V
    Potência - Max : 390W
    Temperatura de operação : -40°C ~ 150°C (TJ)
    Tipo de montagem : Chassis Mount
    Pacote / caso : SP6
    Pacote de Dispositivo do Fornecedor : SP6-P

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