APT11N80BC3G Preços (USD) [15456pcs Estoque]
- 1 pcs$2.93506
- 10 pcs$2.62084
- 100 pcs$2.14894
- 500 pcs$1.74012
- 1,000 pcs$1.46758
- Número da peça:
- APT11N80BC3G
- Fabricante:
- Microsemi Corporation
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 800V 11A TO-247.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Tiristores - SCRs - Módulos, Diodos - Zener - Matrizes, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - IGBTs - Módulos and Diodos - Zener - Single ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Microsemi Corporation APT11N80BC3G electronic components. APT11N80BC3G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APT11N80BC3G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
APT11N80BC3G Atributos do produto
Número da peça :
APT11N80BC3G
Fabricante :
Microsemi Corporation
Descrição :
MOSFET N-CH 800V 11A TO-247
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
800V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
11A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
450 mOhm @ 7.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.9V @ 680µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
60nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
1585pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
156W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-247 [B]
Pacote / caso :
TO-247-3
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