Nexperia USA Inc. - BUK662R7-55C,118

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BUK662R7-55C,118 Preços (USD) [71251pcs Estoque]

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  • 800 pcs$0.54877

Número da peça:
BUK662R7-55C,118
Fabricante:
Nexperia USA Inc.
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - JFETs, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - Propósito Específico, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Diodos - Retificadores - Solteiro, Módulos de driver de energia and Diodos - Retificadores - Matrizes ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
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ISO-45001-2018

BUK662R7-55C,118 Atributos do produto

Número da peça : BUK662R7-55C,118
Fabricante : Nexperia USA Inc.
Descrição : MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK
Series : Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 55V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 120A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.7 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.8V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 258nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±16V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 15300pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 306W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : D2PAK
Pacote / caso : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB