DMN1017UCP3-7 Preços (USD) [392732pcs Estoque]
- 1 pcs$0.09418
- 3,000 pcs$0.08429
- Número da peça:
- DMN1017UCP3-7
- Fabricante:
- Diodes Incorporated
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 12V 7.5A X3-DSN1010.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Zener - Single, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - Propósito Específico, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Tiristores - DIACs, SIDACs and Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Diodes Incorporated DMN1017UCP3-7 electronic components. DMN1017UCP3-7 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMN1017UCP3-7, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
DMN1017UCP3-7 Atributos do produto
Número da peça :
DMN1017UCP3-7
Fabricante :
Diodes Incorporated
Descrição :
MOSFET N-CH 12V 7.5A X3-DSN1010
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
12V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
7.5A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
1.8V, 3.3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
17 mOhm @ 5A, 3.3V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
16nC @ 3.3V
Vgs (máx.) :
±8V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
1503pF @ 6V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
1.47W
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
X3-DSN1010-3
Pacote / caso :
3-XDFN
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