Microsemi Corporation - APTMC120AM25CT3AG

KEY Part #: K6522041

APTMC120AM25CT3AG Preços (USD) [211pcs Estoque]

  • 1 pcs$194.21626
  • 10 pcs$184.83957

Número da peça:
APTMC120AM25CT3AG
Fabricante:
Microsemi Corporation
Descrição detalhada:
MOSFET 2N-CH 1200V 105A SP3F.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Tiristores - DIACs, SIDACs, Diodos - Retificadores - Matrizes and Diodos - Retificadores - Solteiro ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APTMC120AM25CT3AG Atributos do produto

Número da peça : APTMC120AM25CT3AG
Fabricante : Microsemi Corporation
Descrição : MOSFET 2N-CH 1200V 105A SP3F
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : 2 N-Channel (Half Bridge)
Recurso FET : Silicon Carbide (SiC)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 1200V (1.2kV)
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 113A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 25 mOhm @ 80A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 4mA (Typ)
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 197nC @ 20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 3800pF @ 1000V
Potência - Max : 500W
Temperatura de operação : -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Chassis Mount
Pacote / caso : SP3
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : SP3

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