RUE002N02TL Preços (USD) [1336019pcs Estoque]
- 1 pcs$0.03061
- 3,000 pcs$0.03045
- Número da peça:
- RUE002N02TL
- Fabricante:
- Rohm Semiconductor
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 20V .2A EMT3.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Zener - Single, Transistores - Propósito Específico, Diodos - Retificadores - Matrizes, Tiristores - TRIACs, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Diodos - Zener - Matrizes, Diodos - retificadores de ponte and Transistores - Bipolar (BJT) - RF ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Rohm Semiconductor RUE002N02TL electronic components. RUE002N02TL can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RUE002N02TL, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
RUE002N02TL Atributos do produto
Número da peça :
RUE002N02TL
Fabricante :
Rohm Semiconductor
Descrição :
MOSFET N-CH 20V .2A EMT3
Series :
-
Status da Peça :
Not For New Designs
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
200mA (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
1.2V, 2.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.2 Ohm @ 200mA, 2.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
-
Vgs (máx.) :
±8V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
25pF @ 10V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
150mW (Ta)
Temperatura de operação :
150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
EMT3
Pacote / caso :
SC-75, SOT-416
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