ON Semiconductor - EFC6602R-A-TR

KEY Part #: K6523733

EFC6602R-A-TR Preços (USD) [4066pcs Estoque]

  • 5,000 pcs$0.15623

Número da peça:
EFC6602R-A-TR
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrição detalhada:
MOSFET 2N-CH EFCP.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - retificadores de ponte, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar and Diodos - Zener - Single ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

EFC6602R-A-TR Atributos do produto

Número da peça : EFC6602R-A-TR
Fabricante : ON Semiconductor
Descrição : MOSFET 2N-CH EFCP
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Recurso FET : Logic Level Gate, 2.5V Drive
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : -
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : -
Rds On (Max) @ Id, Vgs : -
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 55nC @ 4.5V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : -
Potência - Max : 2W
Temperatura de operação : 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : 6-XFBGA, FCBGA
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : EFCP2718-6CE-020

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