Infineon Technologies - IRFS3207ZTRRPBF

KEY Part #: K6402942

IRFS3207ZTRRPBF Preços (USD) [54367pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.71919
  • 800 pcs$0.69042

Número da peça:
IRFS3207ZTRRPBF
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - retificadores de ponte, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Tiristores - SCRs, Transistores - Propósito Específico, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Diodos - Zener - Matrizes and Transistores - Bipolar (BJT) - RF ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFS3207ZTRRPBF Atributos do produto

Número da peça : IRFS3207ZTRRPBF
Fabricante : Infineon Technologies
Descrição : MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
Series : HEXFET®
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 75V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 120A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.1 mOhm @ 75A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 150µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 170nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 6920pF @ 50V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 300W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : D²PAK (TO-263)
Pacote / caso : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB