FDMC6686P Preços (USD) [125031pcs Estoque]
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- 3,000 pcs$0.29583
- Número da peça:
- FDMC6686P
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrição detalhada:
- MOSFET P-CH 20V POWER33.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Tiristores - SCRs - Módulos, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Tiristores - DIACs, SIDACs, Diodos - Retificadores - Matrizes, Módulos de driver de energia, Transistores - IGBTs - Single and Tiristores - SCRs ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in ON Semiconductor FDMC6686P electronic components. FDMC6686P can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDMC6686P, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FDMC6686P Atributos do produto
Número da peça :
FDMC6686P
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrição :
MOSFET P-CH 20V POWER33
Series :
PowerTrench®
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
P-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
18A (Ta), 56A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
4 mOhm @ 18A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
122nC @ 4.5V
Vgs (máx.) :
±8V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
13200pF @ 10V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
2.3W (Ta), 40W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Pacote / caso :
8-PowerWDFN
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