[13184pcs Estoque]
- Número da peça:
- SPP04N60C3HKSA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 650V 4.5A TO-220AB.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Diodos - Zener - Matrizes, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Módulos de driver de energia and Transistores - JFETs ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies SPP04N60C3HKSA1 electronic components. SPP04N60C3HKSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SPP04N60C3HKSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SPP04N60C3HKSA1 Atributos do produto
Número da peça :
SPP04N60C3HKSA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET N-CH 650V 4.5A TO-220AB
Series :
CoolMOS™
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
650V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
4.5A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
950 mOhm @ 2.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.9V @ 200µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
25nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
490pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
50W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PG-TO220-3-1
Pacote / caso :
TO-220-3
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