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  5. EPC2105ENGRT

EPC - EPC2105ENGRT

KEY Part #: K6522121

EPC2105ENGRT Preços (USD) [19276pcs Estoque]

  • 1 pcs$2.36363
  • 500 pcs$2.35187
Número da peça:
EPC2105ENGRT
Fabricante:
EPC
Descrição detalhada:
GANFET 2NCH 80V 9.5A DIE.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Diodos - Zener - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - RF, Módulos de driver de energia, Diodos - Zener - Matrizes and Diodos - retificadores de ponte ...
Vantagem competitiva:
We specialize in EPC EPC2105ENGRT electronic components. EPC2105ENGRT can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for EPC2105ENGRT, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

EPC2105ENGRT Atributos do produto

Número da peça : EPC2105ENGRT
Fabricante : EPC
Descrição : GANFET 2NCH 80V 9.5A DIE
Series : eGaN®
Status da Peça : Active
Tipo FET : 2 N-Channel (Half Bridge)
Recurso FET : GaNFET (Gallium Nitride)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 80V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 9.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 14.5 mOhm @ 20A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 2.5mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 2.5nC @ 5V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 300pF @ 40V
Potência - Max : -
Temperatura de operação : -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : Die
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : Die
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