Infineon Technologies - 2N7002DW L6327

KEY Part #: K6524192

[3913pcs Estoque]


    Número da peça:
    2N7002DW L6327
    Fabricante:
    Infineon Technologies
    Descrição detalhada:
    MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363.
    Prazo de execução padrão do fabricante:
    Em estoque
    Validade:
    Um ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pagamento:
    Maneira da expedição:
    Categorias de Família:
    KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Diodos - Retificadores - Matrizes, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Tiristores - SCRs, Transistores - Bipolar (BJT) - RF and Transistores - Propósito Específico ...
    Vantagem competitiva:
    We specialize in Infineon Technologies 2N7002DW L6327 electronic components. 2N7002DW L6327 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 2N7002DW L6327, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    2N7002DW L6327 Atributos do produto

    Número da peça : 2N7002DW L6327
    Fabricante : Infineon Technologies
    Descrição : MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363
    Series : OptiMOS™
    Status da Peça : Obsolete
    Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)
    Recurso FET : Logic Level Gate
    Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 60V
    Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 300mA
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3 Ohm @ 500mA, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
    Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 0.6nC @ 10V
    Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 20pF @ 25V
    Potência - Max : 500mW
    Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Tipo de montagem : Surface Mount
    Pacote / caso : 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
    Pacote de Dispositivo do Fornecedor : PG-SOT363-6

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