[1232pcs Estoque]
- Número da peça:
- BSS127H6327XTSA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - Unijunction Programável, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - FETs, MOSFETs - RF and Módulos de driver de energia ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies BSS127H6327XTSA1 electronic components. BSS127H6327XTSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSS127H6327XTSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BSS127H6327XTSA1 Atributos do produto
Número da peça :
BSS127H6327XTSA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23
Series :
SIPMOS®
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
21mA (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
500 Ohm @ 16mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.6V @ 8µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
1nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
28pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
500mW (Ta)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
SOT-23-3
Pacote / caso :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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