NXP USA Inc. - PMFPB6545UP,115

KEY Part #: K6414234

[12825pcs Estoque]


    Número da peça:
    PMFPB6545UP,115
    Fabricante:
    NXP USA Inc.
    Descrição detalhada:
    MOSFET P-CH 20V 3.5A SOT1118.
    Prazo de execução padrão do fabricante:
    Em estoque
    Validade:
    Um ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pagamento:
    Maneira da expedição:
    Categorias de Família:
    KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Unijunction Programável, Tiristores - TRIACs, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - Propósito Específico and Transistores - IGBTs - Matrizes ...
    Vantagem competitiva:
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    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    PMFPB6545UP,115 Atributos do produto

    Número da peça : PMFPB6545UP,115
    Fabricante : NXP USA Inc.
    Descrição : MOSFET P-CH 20V 3.5A SOT1118
    Series : -
    Status da Peça : Obsolete
    Tipo FET : P-Channel
    Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
    Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 20V
    Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 3.5A (Ta)
    Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 1.8V, 4.5V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 70 mOhm @ 1A, 4.5V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
    Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 6nC @ 4.5V
    Vgs (máx.) : ±8V
    Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 380pF @ 10V
    Recurso FET : Schottky Diode (Isolated)
    Dissipação de energia (máx.) : 520mW (Ta), 8.3W (Tc)
    Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Tipo de montagem : Surface Mount
    Pacote de Dispositivo do Fornecedor : DFN2020-6
    Pacote / caso : 6-UDFN Exposed Pad