DMN3035LWN-13 Preços (USD) [523606pcs Estoque]
- 1 pcs$0.07064
- 10,000 pcs$0.06226
- Número da peça:
- DMN3035LWN-13
- Fabricante:
- Diodes Incorporated
- Descrição detalhada:
- MOSFET 2 N-CH 5.5A VDFN3020-8.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - SCRs, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - IGBTs - Matrizes, Módulos de driver de energia, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays and Tiristores - SCRs - Módulos ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Diodes Incorporated DMN3035LWN-13 electronic components. DMN3035LWN-13 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMN3035LWN-13, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
DMN3035LWN-13 Atributos do produto
Número da peça :
DMN3035LWN-13
Fabricante :
Diodes Incorporated
Descrição :
MOSFET 2 N-CH 5.5A VDFN3020-8
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
2 N-Channel (Dual)
Recurso FET :
Standard
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
-
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
35 mOhm @ 4.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
4.5nC @ 4.5V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
399pF @ 15V
Potência - Max :
-
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote / caso :
8-PowerVDFN
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
V-DFN3020-8
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