Toshiba Semiconductor and Storage - SSM6N57NU,LF

KEY Part #: K6525009

SSM6N57NU,LF Preços (USD) [699747pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.05844
  • 3,000 pcs$0.05815

Número da peça:
SSM6N57NU,LF
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição detalhada:
MOSFET 2N-CH 30V 4A UDFN6.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - IGBTs - Single, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Módulos de driver de energia, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - IGBTs - Módulos, Tiristores - SCRs - Módulos and Transistores - IGBTs - Matrizes ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SSM6N57NU,LF Atributos do produto

Número da peça : SSM6N57NU,LF
Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição : MOSFET 2N-CH 30V 4A UDFN6
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)
Recurso FET : Standard
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 46 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 4nC @ 4.5V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 310pF @ 10V
Potência - Max : 1W
Temperatura de operação : 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : 6-WDFN Exposed Pad
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 6-µDFN(2x2)

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