Infineon Technologies - IPL60R065P7AUMA1

KEY Part #: K6416981

IPL60R065P7AUMA1 Preços (USD) [22085pcs Estoque]

  • 1 pcs$1.86609

Número da peça:
IPL60R065P7AUMA1
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 4VSON.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - JFETs and Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPL60R065P7AUMA1 Atributos do produto

Número da peça : IPL60R065P7AUMA1
Fabricante : Infineon Technologies
Descrição : MOSFET N-CH 4VSON
Series : CoolMOS™ P7
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 650V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 41A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 65 mOhm @ 15.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 800µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 67nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 2895pF @ 400V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 201W (Tc)
Temperatura de operação : -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : PG-VSON-4
Pacote / caso : 4-PowerTSFN

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