SIA777EDJ-T1-GE3 Preços (USD) [406296pcs Estoque]
- 1 pcs$0.09149
- 3,000 pcs$0.09104
- Número da peça:
- SIA777EDJ-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Descrição detalhada:
- MOSFET N/P-CH 20V/12V SC70-6L.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - Unijunction Programável, Diodos - Zener - Single, Transistores - JFETs, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - Bipolar (BJT) - RF and Transistores - IGBTs - Módulos ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Vishay Siliconix SIA777EDJ-T1-GE3 electronic components. SIA777EDJ-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIA777EDJ-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SIA777EDJ-T1-GE3 Atributos do produto
Número da peça :
SIA777EDJ-T1-GE3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrição :
MOSFET N/P-CH 20V/12V SC70-6L
Series :
TrenchFET®
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N and P-Channel
Recurso FET :
Logic Level Gate
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
20V, 12V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
1.5A, 4.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
225 mOhm @ 1.6A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
2.2nC @ 5V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
-
Potência - Max :
5W, 7.8W
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote / caso :
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PowerPAK® SC-70-6 Dual
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