Toshiba Semiconductor and Storage - SSM6L09FUTE85LF

KEY Part #: K6524825

SSM6L09FUTE85LF Preços (USD) [911513pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.04058

Número da peça:
SSM6L09FUTE85LF
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição detalhada:
MOSFET N/P-CH 30V 0.4A/0.2A US6.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos - Retificadores - Matrizes, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - Propósito Específico, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol and Diodos - retificadores de ponte ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SSM6L09FUTE85LF Atributos do produto

Número da peça : SSM6L09FUTE85LF
Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição : MOSFET N/P-CH 30V 0.4A/0.2A US6
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : N and P-Channel
Recurso FET : Logic Level Gate
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 400mA, 200mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 700 mOhm @ 200MA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.8V @ 100µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : -
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 20pF @ 5V
Potência - Max : 300mW
Temperatura de operação : 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : US6

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