Vishay Siliconix - SUM36N20-54P-E3

KEY Part #: K6408535

[594pcs Estoque]


    Número da peça:
    SUM36N20-54P-E3
    Fabricante:
    Vishay Siliconix
    Descrição detalhada:
    MOSFET N-CH 200V 36A D2PAK.
    Prazo de execução padrão do fabricante:
    Em estoque
    Validade:
    Um ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pagamento:
    Maneira da expedição:
    Categorias de Família:
    KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - SCRs, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - Propósito Específico, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - IGBTs - Módulos and Diodos - Zener - Single ...
    Vantagem competitiva:
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    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SUM36N20-54P-E3 Atributos do produto

    Número da peça : SUM36N20-54P-E3
    Fabricante : Vishay Siliconix
    Descrição : MOSFET N-CH 200V 36A D2PAK
    Series : TrenchFET®
    Status da Peça : Obsolete
    Tipo FET : N-Channel
    Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
    Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 200V
    Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 36A (Tc)
    Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V, 15V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 53 mOhm @ 20A, 15V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 250µA
    Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 127nC @ 15V
    Vgs (máx.) : ±25V
    Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 3100pF @ 25V
    Recurso FET : -
    Dissipação de energia (máx.) : 3.12W (Ta), 166W (Tc)
    Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
    Tipo de montagem : Surface Mount
    Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-263 (D2Pak)
    Pacote / caso : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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