Diodes Incorporated - DMHC10H170SFJ-13

KEY Part #: K6522224

DMHC10H170SFJ-13 Preços (USD) [151401pcs Estoque]

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  • 3,000 pcs$0.21622

Número da peça:
DMHC10H170SFJ-13
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descrição detalhada:
MOSFET 2N/2P-CH 100V DFN5045-12.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - DIACs, SIDACs, Tiristores - SCRs, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro and Diodos - Retificadores - Solteiro ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMHC10H170SFJ-13 Atributos do produto

Número da peça : DMHC10H170SFJ-13
Fabricante : Diodes Incorporated
Descrição : MOSFET 2N/2P-CH 100V DFN5045-12
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)
Recurso FET : Standard
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 2.9A, 2.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 160 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 9.7nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 1167pF @ 25V
Potência - Max : 2.1W
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : 12-VDFN Exposed Pad
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : V-DFN5045-12

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