Vishay Siliconix - SQ3460EV-T1_GE3

KEY Part #: K6420563

SQ3460EV-T1_GE3 Preços (USD) [211203pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.17513
  • 3,000 pcs$0.15329

Número da peça:
SQ3460EV-T1_GE3
Fabricante:
Vishay Siliconix
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 20V 8A 6TSOP.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Módulos de driver de energia, Diodos - RF, Tiristores - SCRs, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - JFETs, Tiristores - DIACs, SIDACs and Transistores - IGBTs - Matrizes ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SQ3460EV-T1_GE3 Atributos do produto

Número da peça : SQ3460EV-T1_GE3
Fabricante : Vishay Siliconix
Descrição : MOSFET N-CH 20V 8A 6TSOP
Series : TrenchFET®
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 8A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 30 mOhm @ 5.1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 14nC @ 4.5V
Vgs (máx.) : ±8V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 1060pF @ 10V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 3.6W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 6-TSOP
Pacote / caso : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

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