Diodes Incorporated - DMN2300UFB-7B

KEY Part #: K6416404

DMN2300UFB-7B Preços (USD) [912492pcs Estoque]

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  • 10,000 pcs$0.03628

Número da peça:
DMN2300UFB-7B
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 20V 1.32A 3DFN.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - IGBTs - Módulos, Módulos de driver de energia, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Tiristores - SCRs - Módulos and Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMN2300UFB-7B Atributos do produto

Número da peça : DMN2300UFB-7B
Fabricante : Diodes Incorporated
Descrição : MOSFET N-CH 20V 1.32A 3DFN
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 1.32A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 175 mOhm @ 300mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 950mV @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 0.89nC @ 4.5V
Vgs (máx.) : ±8V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 67.62pF @ 20V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 468mW (Ta)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : X1-DFN1006-3
Pacote / caso : 3-UFDFN

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