FDV302P Preços (USD) [1303251pcs Estoque]
- 1 pcs$0.02838
- 3,000 pcs$0.02762
- Número da peça:
- FDV302P
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrição detalhada:
- MOSFET P-CH 25V 120MA SOT-23.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - JFETs, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - Retificadores - Matrizes, Diodos - Zener - Matrizes and Módulos de driver de energia ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in ON Semiconductor FDV302P electronic components. FDV302P can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDV302P, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FDV302P Atributos do produto
Número da peça :
FDV302P
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrição :
MOSFET P-CH 25V 120MA SOT-23
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
P-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
25V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
120mA (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
2.7V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
10 Ohm @ 200mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
0.31nC @ 4.5V
Vgs (máx.) :
±8V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
11pF @ 10V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
350mW (Ta)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
SOT-23
Pacote / caso :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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