Infineon Technologies - IRF7301TRPBF

KEY Part #: K6524918

IRF7301TRPBF Preços (USD) [244308pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.15140
  • 4,000 pcs$0.14534

Número da peça:
IRF7301TRPBF
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrição detalhada:
MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8-SOIC.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - SCRs - Módulos, Diodos - Retificadores - Solteiro, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar and Transistores - IGBTs - Matrizes ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRF7301TRPBF Atributos do produto

Número da peça : IRF7301TRPBF
Fabricante : Infineon Technologies
Descrição : MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8-SOIC
Series : HEXFET®
Status da Peça : Active
Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)
Recurso FET : Logic Level Gate
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 5.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 50 mOhm @ 2.6A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 700mV @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 20nC @ 4.5V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 660pF @ 15V
Potência - Max : 2W
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 8-SO

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