ON Semiconductor - FQP8N90C

KEY Part #: K6418472

FQP8N90C Preços (USD) [64375pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.61042
  • 1,000 pcs$0.60739

Número da peça:
FQP8N90C
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 900V 6.3A TO-220.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Unijunction Programável, Transistores - JFETs, Diodos - Zener - Matrizes, Tiristores - SCRs, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Módulos de driver de energia and Transistores - IGBTs - Single ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FQP8N90C Atributos do produto

Número da peça : FQP8N90C
Fabricante : ON Semiconductor
Descrição : MOSFET N-CH 900V 6.3A TO-220
Series : QFET®
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 900V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 6.3A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.9 Ohm @ 3.15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 45nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 2080pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 171W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-220AB
Pacote / caso : TO-220-3

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