DMT3009LDT-7 Preços (USD) [210942pcs Estoque]
- 1 pcs$0.17534
- 3,000 pcs$0.15140
- Número da peça:
- DMT3009LDT-7
- Fabricante:
- Diodes Incorporated
- Descrição detalhada:
- MOSFET 2N-CH 30V 30A V-DFN3030-8.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Módulos, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - IGBTs - Single, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar and Diodos - RF ...
- Vantagem competitiva:
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DMT3009LDT-7 Atributos do produto
Número da peça :
DMT3009LDT-7
Fabricante :
Diodes Incorporated
Descrição :
MOSFET 2N-CH 30V 30A V-DFN3030-8
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Recurso FET :
Standard
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
30A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
11.1 mOhm @ 14.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
20nC @ 15V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
1500pF @ 15V
Potência - Max :
1.2W
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote / caso :
8-VDFN Exposed Pad
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
V-DFN3030-8 (Type K)
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