STH110N8F7-2 Preços (USD) [126780pcs Estoque]
- 1 pcs$0.29174
- Número da peça:
- STH110N8F7-2
- Fabricante:
- STMicroelectronics
- Descrição detalhada:
- MOSFET.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Tiristores - SCRs - Módulos, Diodos - Retificadores - Matrizes, Tiristores - DIACs, SIDACs, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Diodos - Retificadores - Solteiro and Transistores - IGBTs - Single ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in STMicroelectronics STH110N8F7-2 electronic components. STH110N8F7-2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STH110N8F7-2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
STH110N8F7-2 Atributos do produto
Número da peça :
STH110N8F7-2
Fabricante :
STMicroelectronics
Descrição :
MOSFET
Series :
STripFET™ F7
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
80V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
110A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
6.6 mOhm @ 55A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
45nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
3200pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
170W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
H2Pak-2
Pacote / caso :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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