ON Semiconductor - NTD5C648NLT4G

KEY Part #: K6392857

NTD5C648NLT4G Preços (USD) [80604pcs Estoque]

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Número da peça:
NTD5C648NLT4G
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrição detalhada:
T6 60V LL DPAK.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - TRIACs, Diodos - Zener - Single, Transistores - Propósito Específico, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Tiristores - SCRs and Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NTD5C648NLT4G Atributos do produto

Número da peça : NTD5C648NLT4G
Fabricante : ON Semiconductor
Descrição : T6 60V LL DPAK
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 22A (Ta), 91A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.1 mOhm @ 45A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.1V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 17nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 2900pF @ 30V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 4.4W (Ta), 76W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : DPAK (SINGLE GAUGE)
Pacote / caso : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63