PMZB150UNEYL Preços (USD) [1318502pcs Estoque]
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- 10 pcs$0.16255
- 100 pcs$0.09571
- 500 pcs$0.05418
- 1,000 pcs$0.04154
- Número da peça:
- PMZB150UNEYL
- Fabricante:
- Nexperia USA Inc.
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 20V SOT883.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - IGBTs - Single, Tiristores - TRIACs, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Tiristores - SCRs - Módulos and Diodos - RF ...
- Vantagem competitiva:
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PMZB150UNEYL Atributos do produto
Número da peça :
PMZB150UNEYL
Fabricante :
Nexperia USA Inc.
Descrição :
MOSFET N-CH 20V SOT883
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
1.5A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
200 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
950mV @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
1.6nC @ 4.5V
Vgs (máx.) :
±8V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
93pF @ 10V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
350mW (Ta), 6.25W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
DFN1006B-3
Pacote / caso :
3-XFDFN
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