BUK763R8-80E,118 Preços (USD) [60801pcs Estoque]
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- Número da peça:
- BUK763R8-80E,118
- Fabricante:
- Nexperia USA Inc.
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Matrizes, Módulos de driver de energia, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Diodos - Zener - Matrizes, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - FETs, MOSFETs - RF and Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar ...
- Vantagem competitiva:
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BUK763R8-80E,118 Atributos do produto
Número da peça :
BUK763R8-80E,118
Fabricante :
Nexperia USA Inc.
Descrição :
MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Series :
Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
80V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
120A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3.8 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
169nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
12030pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
357W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
D2PAK
Pacote / caso :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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