R6030KNZ1C9 Preços (USD) [26270pcs Estoque]
- 1 pcs$1.72314
- 10 pcs$1.53937
- 100 pcs$1.26212
- 500 pcs$0.96958
- 1,000 pcs$0.81772
- Número da peça:
- R6030KNZ1C9
- Fabricante:
- Rohm Semiconductor
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CHANNEL 600V 30A TO247.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - SCRs, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Unijunction Programável, Diodos - Retificadores - Solteiro, Diodos - RF, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes and Diodos - Retificadores - Matrizes ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Rohm Semiconductor R6030KNZ1C9 electronic components. R6030KNZ1C9 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for R6030KNZ1C9, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
R6030KNZ1C9 Atributos do produto
Número da peça :
R6030KNZ1C9
Fabricante :
Rohm Semiconductor
Descrição :
MOSFET N-CHANNEL 600V 30A TO247
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
30A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
130 mOhm @ 14.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
56nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
2350pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
305W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-247
Pacote / caso :
TO-247-3
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