Texas Instruments - CSD23285F5

KEY Part #: K6416636

CSD23285F5 Preços (USD) [644086pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.05743
  • 3,000 pcs$0.04873

Número da peça:
CSD23285F5
Fabricante:
Texas Instruments
Descrição detalhada:
MOSFET P-CH 12V.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Tiristores - SCRs - Módulos, Tiristores - SCRs, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Diodos - RF, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar and Diodos - Retificadores - Matrizes ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

CSD23285F5 Atributos do produto

Número da peça : CSD23285F5
Fabricante : Texas Instruments
Descrição : MOSFET P-CH 12V
Series : FemtoFET™
Status da Peça : Active
Tipo FET : P-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 12V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 5.4A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 35 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 950mV @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 4.2nC @ 4.5V
Vgs (máx.) : -6V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 628pF @ 6V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 500mW (Ta)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 3-PICOSTAR
Pacote / caso : 3-XFDFN

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