NXP USA Inc. - PHX18NQ11T,127

KEY Part #: K6400206

[7986pcs Estoque]


    Número da peça:
    PHX18NQ11T,127
    Fabricante:
    NXP USA Inc.
    Descrição detalhada:
    MOSFET N-CH 110V 12.5A SOT186A.
    Prazo de execução padrão do fabricante:
    Em estoque
    Validade:
    Um ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pagamento:
    Maneira da expedição:
    Categorias de Família:
    KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Unijunction Programável, Transistores - IGBTs - Módulos, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Diodos - Zener - Single, Diodos - RF, Tiristores - SCRs and Módulos de driver de energia ...
    Vantagem competitiva:
    We specialize in NXP USA Inc. PHX18NQ11T,127 electronic components. PHX18NQ11T,127 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for PHX18NQ11T,127, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    PHX18NQ11T,127 Atributos do produto

    Número da peça : PHX18NQ11T,127
    Fabricante : NXP USA Inc.
    Descrição : MOSFET N-CH 110V 12.5A SOT186A
    Series : TrenchMOS™
    Status da Peça : Obsolete
    Tipo FET : N-Channel
    Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
    Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 110V
    Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 12.5A (Tc)
    Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 90 mOhm @ 9A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA
    Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 21nC @ 10V
    Vgs (máx.) : ±20V
    Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 635pF @ 25V
    Recurso FET : -
    Dissipação de energia (máx.) : 31.2W (Tc)
    Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Tipo de montagem : Through Hole
    Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-220F
    Pacote / caso : TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab