TK31J60W,S1VQ Preços (USD) [11067pcs Estoque]
- 1 pcs$4.09851
- 25 pcs$3.35902
- 100 pcs$3.03127
- 500 pcs$2.53971
- Número da peça:
- TK31J60W,S1VQ
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descrição detalhada:
- MOSFET N CH 600V 30.8A TO-3PN.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - TRIACs, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Diodos - Zener - Single, Transistores - IGBTs - Módulos and Transistores - FETs, MOSFETs - Single ...
- Vantagem competitiva:
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TK31J60W,S1VQ Atributos do produto
Número da peça :
TK31J60W,S1VQ
Fabricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição :
MOSFET N CH 600V 30.8A TO-3PN
Series :
DTMOSIV
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
30.8A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
88 mOhm @ 15.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.7V @ 1.5mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
86nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
3000pF @ 300V
Recurso FET :
Super Junction
Dissipação de energia (máx.) :
230W (Tc)
Temperatura de operação :
150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-3P(N)
Pacote / caso :
TO-3P-3, SC-65-3
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