FDD3510H Preços (USD) [180396pcs Estoque]
- 1 pcs$0.20504
- 2,500 pcs$0.19612
- Número da peça:
- FDD3510H
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrição detalhada:
- MOSFET N/P-CH 80V 4.3A/2.8A DPAK.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos - RF, Tiristores - TRIACs, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes and Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in ON Semiconductor FDD3510H electronic components. FDD3510H can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDD3510H, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FDD3510H Atributos do produto
Número da peça :
FDD3510H
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrição :
MOSFET N/P-CH 80V 4.3A/2.8A DPAK
Series :
PowerTrench®
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N and P-Channel, Common Drain
Recurso FET :
Logic Level Gate
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
80V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
4.3A, 2.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
80 mOhm @ 4.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
18nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
800pF @ 40V
Potência - Max :
1.3W
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote / caso :
TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-252-4L
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