Renesas Electronics America - RJL6013DPE-00#J3

KEY Part #: K6403930

[2188pcs Estoque]


    Número da peça:
    RJL6013DPE-00#J3
    Fabricante:
    Renesas Electronics America
    Descrição detalhada:
    MOSFET N-CH 600V 11A LDPAK.
    Prazo de execução padrão do fabricante:
    Em estoque
    Validade:
    Um ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pagamento:
    Maneira da expedição:
    Categorias de Família:
    KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - Propósito Específico, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Tiristores - SCRs, Diodos - Zener - Matrizes and Transistores - Unijunction Programável ...
    Vantagem competitiva:
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    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    RJL6013DPE-00#J3 Atributos do produto

    Número da peça : RJL6013DPE-00#J3
    Fabricante : Renesas Electronics America
    Descrição : MOSFET N-CH 600V 11A LDPAK
    Series : -
    Status da Peça : Active
    Tipo FET : N-Channel
    Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
    Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 600V
    Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 11A (Ta)
    Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 810 mOhm @ 5.5A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : -
    Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 38nC @ 10V
    Vgs (máx.) : ±30V
    Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 1400pF @ 25V
    Recurso FET : -
    Dissipação de energia (máx.) : 100W (Tc)
    Temperatura de operação : 150°C (TJ)
    Tipo de montagem : Surface Mount
    Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 4-LDPAK
    Pacote / caso : SC-83

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