IPB65R190C7ATMA2 Preços (USD) [59611pcs Estoque]
- 1 pcs$0.65593
- Número da peça:
- IPB65R190C7ATMA2
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH TO263-3.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - DIACs, SIDACs, Tiristores - TRIACs, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - JFETs and Transistores - FETs, MOSFETs - Single ...
- Vantagem competitiva:
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IPB65R190C7ATMA2 Atributos do produto
Número da peça :
IPB65R190C7ATMA2
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET N-CH TO263-3
Series :
CoolMOS™ C7
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
650V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
13A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
190 mOhm @ 5.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 290µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
23nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
1150pF @ 400V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
72W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PG-TO263-3
Pacote / caso :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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