Toshiba Semiconductor and Storage - TK20E60W,S1VX

KEY Part #: K6417033

TK20E60W,S1VX Preços (USD) [23682pcs Estoque]

  • 1 pcs$1.92380
  • 50 pcs$1.91422

Número da peça:
TK20E60W,S1VX
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 600V 20A TO-220.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - IGBTs - Matrizes, Diodos - Zener - Single, Diodos - Zener - Matrizes, Tiristores - TRIACs, Tiristores - SCRs, Transistores - JFETs and Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TK20E60W,S1VX Atributos do produto

Número da peça : TK20E60W,S1VX
Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição : MOSFET N-CH 600V 20A TO-220
Series : DTMOSIV
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 20A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 155 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.7V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 48nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 1680pF @ 300V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 165W (Tc)
Temperatura de operação : 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-220
Pacote / caso : TO-220-3

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