Microsemi Corporation - JANTX1N6622

KEY Part #: K6425034

JANTX1N6622 Preços (USD) [3378pcs Estoque]

  • 1 pcs$10.93388
  • 10 pcs$9.93778
  • 25 pcs$9.19243

Número da peça:
JANTX1N6622
Fabricante:
Microsemi Corporation
Descrição detalhada:
DIODE GEN PURP 660V 2A AXIAL. Rectifiers Rectifier
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Zener - Single, Transistores - IGBTs - Single, Módulos de driver de energia, Tiristores - TRIACs, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - Single and Diodos - RF ...
Vantagem competitiva:
We specialize in Microsemi Corporation JANTX1N6622 electronic components. JANTX1N6622 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JANTX1N6622, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JANTX1N6622 Atributos do produto

Número da peça : JANTX1N6622
Fabricante : Microsemi Corporation
Descrição : DIODE GEN PURP 660V 2A AXIAL
Series : Military, MIL-PRF-19500/585
Status da Peça : Active
Tipo de Diodo : Standard
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) : 660V
Atual - Média Retificada (Io) : 2A
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If : 1.4V @ 1.2A
Rapidez : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : 30ns
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr : 500nA @ 660V
Capacitância @ Vr, F : 10pF @ 10V, 1MHz
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote / caso : A, Axial
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : -
Temperatura de funcionamento - junção : -65°C ~ 150°C

Você também pode estar interessado em
  • FGD5T120SH

    ON Semiconductor

    IGBT 1200V 5A FS3 DPAK.

  • FGD3N60UNDF

    ON Semiconductor

    IGBT 600V 6A 60W DPAK.

  • BAS40E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE SCHOTTKY 40V 120MA SOT23-3.

  • IGB01N120H2ATMA1

    Infineon Technologies

    IGBT 1200V 3.2A 28W TO263-3-2.

  • LXA06B600

    Power Integrations

    DIODE GEN PURP 600V 6A TO263AB. Rectifiers X-Series 600V 6A Low Qrr

  • QH05BZ600

    Power Integrations

    DIODE GEN PURP 600V 5A TO263AB. Diodes - General Purpose, Power, Switching Super-Low Qrr. 600V, 5A, Rectifier