IGB01N120H2ATMA1 Preços (USD) [119020pcs Estoque]
- 1 pcs$0.31077
- 1,000 pcs$0.28841
- Número da peça:
- IGB01N120H2ATMA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- IGBT 1200V 3.2A 28W TO263-3-2.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - retificadores de ponte, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Diodos - Zener - Single, Módulos de driver de energia, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays and Tiristores - TRIACs ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies IGB01N120H2ATMA1 electronic components. IGB01N120H2ATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IGB01N120H2ATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IGB01N120H2ATMA1 Atributos do produto
Número da peça :
IGB01N120H2ATMA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
IGBT 1200V 3.2A 28W TO263-3-2
Series :
-
Status da Peça :
Not For New Designs
Tipo IGBT :
-
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) :
1200V
Corrente - Coletor (Ic) (Max) :
3.2A
Corrente - Coletor Pulsado (Icm) :
3.5A
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic :
2.8V @ 15V, 1A
Potência - Max :
28W
Energia de comutação :
140µJ
Tipo de entrada :
Standard
Carga do Portão :
8.6nC
Td (ligado / desligado) @ 25 ° C :
13ns/370ns
Condição de teste :
800V, 1A, 241 Ohm, 15V
Tempo de Recuperação Reversa (trr) :
-
Temperatura de operação :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote / caso :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PG-TO263-3-2
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