Texas Instruments - CSD86330Q3D

KEY Part #: K6524914

CSD86330Q3D Preços (USD) [107742pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.37296
  • 2,500 pcs$0.37111

Número da peça:
CSD86330Q3D
Fabricante:
Texas Instruments
Descrição detalhada:
MOSFET 2N-CH 25V 20A 8SON.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Diodos - Zener - Single, Transistores - IGBTs - Módulos, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes and Transistores - Propósito Específico ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

CSD86330Q3D Atributos do produto

Número da peça : CSD86330Q3D
Fabricante : Texas Instruments
Descrição : MOSFET 2N-CH 25V 20A 8SON
Series : NexFET™
Status da Peça : Active
Tipo FET : 2 N-Channel (Half Bridge)
Recurso FET : Logic Level Gate
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 25V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 20A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 9.6 mOhm @ 14A, 8V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.1V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 6.2nC @ 4.5V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 920pF @ 12.5V
Potência - Max : 6W
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : 8-PowerLDFN
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 8-LSON (3.3x3.3)

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