EPC - EPC2107

KEY Part #: K6524989

EPC2107 Preços (USD) [107742pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.38687
  • 2,500 pcs$0.38494

Número da peça:
EPC2107
Fabricante:
EPC
Descrição detalhada:
GANFET 3 N-CH 100V 9BGA.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - SCRs, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - IGBTs - Módulos, Módulos de driver de energia, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Tiristores - SCRs - Módulos and Diodos - Retificadores - Solteiro ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

EPC2107 Atributos do produto

Número da peça : EPC2107
Fabricante : EPC
Descrição : GANFET 3 N-CH 100V 9BGA
Series : eGaN®
Status da Peça : Active
Tipo FET : 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
Recurso FET : GaNFET (Gallium Nitride)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 1.7A, 500mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 320 mOhm @ 2A, 5V, 3.3 Ohm @ 2A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 16pF @ 50V, 7pF @ 50V
Potência - Max : -
Temperatura de operação : -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : 9-VFBGA
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 9-BGA (1.35x1.35)
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