IXFN27N80Q Preços (USD) [3139pcs Estoque]
- 1 pcs$14.56169
- 10 pcs$14.48924
- Número da peça:
- IXFN27N80Q
- Fabricante:
- IXYS
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 800V 27A SOT-227B.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos - Zener - Matrizes, Diodos - Retificadores - Matrizes, Diodos - RF, Tiristores - SCRs and Transistores - IGBTs - Matrizes ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in IXYS IXFN27N80Q electronic components. IXFN27N80Q can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFN27N80Q, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IXFN27N80Q Atributos do produto
Número da peça :
IXFN27N80Q
Fabricante :
IXYS
Descrição :
MOSFET N-CH 800V 27A SOT-227B
Series :
HiPerFET™
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
800V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
27A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
320 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 4mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
170nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
7600pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
520W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Chassis Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
SOT-227B
Pacote / caso :
SOT-227-4, miniBLOC
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