APTM50H10FT3G Preços (USD) [1414pcs Estoque]
- 1 pcs$30.78489
- 100 pcs$30.63173
- Número da peça:
- APTM50H10FT3G
- Fabricante:
- Microsemi Corporation
- Descrição detalhada:
- MOSFET 4N-CH 500V 37A SP3.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - Propósito Específico, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Módulos de driver de energia and Diodos - Zener - Matrizes ...
- Vantagem competitiva:
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APTM50H10FT3G Atributos do produto
Número da peça :
APTM50H10FT3G
Fabricante :
Microsemi Corporation
Descrição :
MOSFET 4N-CH 500V 37A SP3
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
4 N-Channel (H-Bridge)
Recurso FET :
Standard
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
500V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
37A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
120 mOhm @ 18.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
96nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
4367pF @ 25V
Potência - Max :
312W
Temperatura de operação :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Chassis Mount
Pacote / caso :
SP3
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
SP3
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