STMicroelectronics - STD3LN80K5

KEY Part #: K6419996

STD3LN80K5 Preços (USD) [150162pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.24632
  • 2,500 pcs$0.21927

Número da peça:
STD3LN80K5
Fabricante:
STMicroelectronics
Descrição detalhada:
N-CHANNEL 800 V 2.75 OHM TYP..
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes and Tiristores - TRIACs ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STD3LN80K5 Atributos do produto

Número da peça : STD3LN80K5
Fabricante : STMicroelectronics
Descrição : N-CHANNEL 800 V 2.75 OHM TYP.
Series : MDmesh™
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 800V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 2A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.25 Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 100µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 2.63nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 102pF @ 100V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 45W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : DPAK
Pacote / caso : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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